Transistor IGBT IKA06N60TXKSA1

Especificaciones técnicas

• Tipo de componente: IGBT discreto con diodo antiparalelo
• Tecnología: Trench Field Stop
• Tensión máxima colector-emisor (VCE): 600 V
• Corriente máxima de colector (IC): 10 A, en las condiciones especificadas para la ficha de distribución; la corriente nominal de referencia del fabricante es 6 A a una temperatura de caja de 100 °C
• Corriente de colector de pico (ICM): 18 A
• Tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)): 1,5 V típica y 2,05 V máxima, a 6 A y con mando de puerta de 15 V, a 25 °C
• Carga de puerta típica: 42 nC
• Potencia máxima disipada: 28 W, sujeta a las condiciones térmicas especificadas
• Tiempo de retardo de encendido: aproximadamente 9 ns
• Tiempo de retardo de apagado: aproximadamente 130 ns
• Tiempo de recuperación inversa del diodo: 123 ns
• Temperatura de funcionamiento de la unión: −40 °C a +175 °C
• Encapsulado: PG-TO220-3-31, FullPAK
• Número de terminales: 3
• Tipo de montaje: THT