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  6. 002-3373

Transistor SMD - N-MOSFET - 100V 36A - IRL540NSTRLPBF

Transistor MOSFET N-MOSFET de potencia con alta capacidad de corriente y tensión, ideal para aplicaciones exigentes. Presenta baja resistencia en conducción y excelente disipación térmica, garantizando un rendimiento eficiente y fiable en circuitos electrónicos.
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En Stock (6 unidades)
€ 6,01
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IVA Incluido a la Tasa de 23%
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  • Tipo de componente: Transistor MOSFET de potencia
  • Tipo de canal: N
  • Tensión máxima drenador-fuente (VDS): 100 V
  • Corriente continua máxima de drenador (ID): 36 A (a TC = 25 °C)
  • Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 44 mΩ (máxima, a VGS = 10 V e ID = 18 A)
  • Tensión umbral compuerta-fuente (VGS(th)): 1–2 V
  • Tensión máxima compuerta-fuente (VGS): ±16 V
  • Carga máxima de la compuerta (Qg): 74 nC (a VGS = 5 V)
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 1800 pF (máxima, a VDS = 25 V)
  • Disipación máxima de potencia: 3,8 W (TA) / 140 W (TC)
  • Temperatura de funcionamiento: -55 °C a +175 °C
  • Temperatura máxima de la unión: 175 °C
  • Encapsulado: D2PAK (TO-263)
  • Tipo de montaje: Montaje en superficie (SMD)
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