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  5. 002-2918

Transistor N-MOSFET IRLR110

Transistor N-MOSFET con encapsulado DPAK/TO252 y montaje SMD, adecuado para fuentes de alimentación, control de motores y convertidores DC-DC. Admite hasta 100V de drenador-fuente, puerta-fuente ±10V, carga de puerta 6,1 nC y corriente de drenador 2,7 A. Canal enriquecido, polarización unipolar, disipa hasta 25W y Rds(on) de 540 mΩ. Pb-free.
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Especificaciones:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Encapsulado: DPAK, TO252
- Montaje: SMD
- Tensión drenador-fuente: 100V
- Tensión puerta-fuente: ±10V
- Carga de la puerta: 6.1nC
- Corriente de drenador: 2.7A
- Tipo de canal: enriquecido
- Polarización: unipolar
- Potencia disipada: 25W
- Resistencia en estado de conducción: 540mΩ
- Lead (Pb)-free (IRLR110PbF)


▶ Ficha técnica (PDF)