Transistor 2N3055G

El transistor de potencia NPN en encapsulado TO3, fabricado por ONSEMI, ofrece hasta 15 A de corriente de colector, 100 V de tensión colector-emisor y una disipación de 115 W. Ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta potencia, con montaje en placa mediante terminales THT. Polarización bipolar y embalaje genérico. Excelente rendimiento térmico para proyectos de potencia, con eficiencia estable.

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DETALLES

Carcasa: TO3
Corriente de colector: 15A
Tipo de embalaje: embalaje
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Polarización: bipolar
Potencia disipada: 115W
Tensión colector-emisor: 100V
Tipo de transistor: NPN

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