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  5. 002-2806

Transistor NTE2970 (=2SK4108)

Transistor de potencia N-MOSFET de canal enriquecido, montado en TO3P (THT). Soporta 500 V entre drenaje y fuente, con 13,4 A continuos y 88 A en pulso. La resistencia en estado de conducción es 0,25 Ω y disipa hasta 278 W. La Vgs soporta hasta ±30 V. Adecuado para conmutación de altas tensiones, fuentes de alimentación y drivers de potencia, ofreciendo fiabilidad y buena gestión térmica en aplicaciones de alto rendimiento.
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= 2SK4108
- Fabricante: NTE Electronics
- Montaje: THT
- Corriente de drenaje: 13.4A
- Corriente de drenaje en impulso: 88A
- Tipo de canal: enriquecido
- Polarización: unipolar
- Potencia disipada: 278W
- Resistencia en estado de conducción: 0.25Ω
- Tensión drenaje-fuente: 500V
- Tensión puerta-fuente: ±30V
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Encapsulado: TO3P