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Transistor SMD PMBF170,215

Transistor SMD de canal N em tecnologia MOSFET (óxido metálico) com encapsulamento TO-236AB, indicado para montagem en superficie. Opera con Vdss de 60V y Id de 300mA a 25°C. El accionamiento de gate varía entre 4,5V y 10V, presentando Rds(on) máx. de 5Ω a 500mA a 10V. Tiene una capacitancia de entrada (Ciss) de 40pF @ 10V, disipación de potencia máx. 830mW (Tc) y rango de temperatura de funcionamiento entre -65°C y 150°C. Ideal para aplicaciones de conmutación y regulación de potencia en conjuntos SMT.
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En Stock (26 unidades) Entrega inmediata
€ 2,78
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Fabricante Nexperia USA Inc.
Séries TrenchMOS™
Tipo de FET Canal N
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 300mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 40pF @ 10V
Dissipação de potência (máx.) 830mW (Tc)
Temperatura de operação -65°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido TO-236AB