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Transistor FDMS0309AS

MOSFET de canal N en montaje SMD/SMT con 30V y 21A. Rds(on) de 3,5 mΩ, Vgs ±20V y umbral de puerta 1,2V; Qg de 47 nC. Funciona entre -55°C y 150°C y disipa hasta 2,5W. Ideal para conmutación de potencia en espacios compactos, ofreciendo conducción eficiente, buena estabilidad térmica e integración sencilla en diseños SMD. Adecuado para aplicaciones que requieren baja resistencia on y un rendimiento estable en temperaturas extremas.
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Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de producto: MOSFET
Estilo de montaje: SMD/SMT
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión de ruptura entre drenaje y fuente: 30 V
Id - Corriente de drenaje continua: 21 A
Rds On - Fuente de drenaje en la resistencia: 3.5 mOhms
Vgs - Tensión de puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Tensión de límite de puerta y fuente: 1.2 V
Qg - Carga en la puerta: 47 nC
Temperatura operativa mínima: - 55 C
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Pd - Disipación de potencia: 2.5 W