¡Ver!
MENÚ
Sin IVA
Con IVA
0
0
EL CARRITO ESTÁ VACÍO
Aún no tienes productos en el carrito.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-2471

Transistor IKP10N60T P10N60P

El transistor N-MOSFET de potencia con canal enriquecido ofrece conmutación rápida, tensión drenaje-fuente de 600 V y corriente de hasta 10 A. Presenta una resistencia ON de 0,74Ω y una potencia disipada de 200 W, en encapsulado TO220AB THT, montable en PCB. Ideal para fuentes de alimentación, convertidores DC-DC, control de motores y aplicaciones de alta velocidad, con respuesta rápida (120 ns) y un rendimiento estable.
REF
Por Pedido Ponte en contacto con nosotros
€ 7,50
/und
IVA Incluido a la Tasa de 23%
Solicitar informaciónAvisarme cuando esté disponible
Carcasa: TO220AB
Carga de puerta: 32nC
Corriente de drenaje: 10A
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de encapsulado: tubo
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 200W
Resistencia en estado de conducción: 0.74Ω
Tiempo de puesta a punto: 120ns
Tensión drenaje-fuente: 600V
Tipo de transistor: N-MOSFET

Ficha técnica Haga clic aquí