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Transistor IRFP440

Este transistor de potencia es un N-MOSFET en encapsulado TO-247AC, adecuado para aplicaciones de conmutación y gestión de energía. Presenta canal enriquecido, montaje THT, polarización unipolar y disipación de hasta 150 W. La resistencia en estado de conducción es de 850 mΩ, con tensión drenaje-fuente de 500 V y tensión puerta-fuente de hasta ±20 V. Ideal para fuentes de alimentación, inversores y convertidores DC-DC, proporcionando un rendimiento estable.
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Carcasa: TO247AC
Carga de puerta: 63nC
Corriente de drenaje: 5.6A
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de embalaje: tubo
Montaje: THT
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 150W
Resistencia en estado de conducción: 850mΩ
Tensión drenaje-fuente: 500V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET