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Transistor FGA30S120P

Transistor de potencia IGBT en encapsulado TO3PN con montaje THT. Soporta 1,3kV de tensión colector-emisor y 30A de corriente, disipando hasta 174W. La puerta opera a ±25V y requiere una carga de puerta de 78nC, con un pulso de 150A. Adecuado para convertidores de potencia, inversores y fuentes de alimentación, ofreciendo un montaje estable en placa y un rendimiento fiable en aplicaciones de conmutación de alta tensión.
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Tipo de transistor IGBT
Tensión colector-emisor 1.3kV
Corriente del colector 30A
Potencia disipada 174W
Carcasa TO3PN
Tensión de puerta - emisor ±25V
Corriente del colector en el impulso 150A
Montaje THT
Carga de puerta 78nC
Especie de embalaje tubo