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  5. 002-2135

Transistor IRFZ44V

Este transistor MOSFET de canal enriquecido, en encapsulado TO-220AB en formato THT, soporta VDS hasta 60 V e ID continua de 55 A, con potencia disipada de 115 W y RDS(on) de 16,5 mΩ, presentando una carga de puerta de 44,7 nC y polarización unipolar con VGS hasta ±20 V. Ideal para drivers de motor, fuentes de alimentación y aplicaciones de conmutación de potencia con alta eficiencia, beneficiándose de la tecnología HEXFET para un rendimiento estable y fiable.
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Descontinuado Producto fuera de venta
€ 2,21
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IVA Incluido a la Tasa de 23%

Carcasa: TO220AB
Carga de puerta: 44.7nC
Corriente de drenaje: 55A
Tipo de canal: enriquecido
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 115W
Resistencia en estado de conducción: 16.5mΩ
Tecnología: HEXFET®
Tensión drenaje-fuente: ±20V
Tensión drenaje-fuente: 60V
Tipo de transistor: N-MOSFET