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Transistor STD13NM60N

El transistor de potencia N-MOSFET con drenaje-fuente de 600 V, corriente de drenaje de 6,93 A y Rds(on) de 360 mΩ disipa hasta 90 W. Recomendado para montaje SMD en encapsulado DPAK, con tensión puerta-fuente de ±25 V. Ideal para fuentes de alimentación, convertidores y circuitos de potencia de alta tensión, ofreciendo conmutación estable, eficiencia y fiabilidad.
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Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK
Corriente de drenaje: 6.93A
Tipo de canal: enriquecido
Tensión drenaje-fuente: 600V
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tipo de encapsulado: carrete
Resistencia en estado de conducción: 360mΩ
Tensión puerta-fuente: ±25V
Potencia disipada: 90W
Polarización: unipolar