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  5. 002-2099

Módulo IGBT FP75R12KE3

Módulo IGBT de potencia en encapsulado EconoPIM3 con alta capacidad de conmutación, VCEO 1200 V y Vce(sat) 2,15 V, Ic 105 A y Pd 350 W. Ideal para aplicaciones industriales; ofrece funcionamiento entre -40 °C y 125 °C, dimensiones de 17 mm (altura), 122 mm (longitud) y 62 mm (ancho), peso unitario de 300 g, y tensión máxima gate-emisor de 20 V. Serie IGBT3-E3.
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Fabricante: Infineon
Producto: IGBT Silicon Modules
Colector - VCEO máx. del emisor: 1200 V
Tensión de saturación del colector - emisor: 2.15 V
Corriente continua del colector a 25ºC: 105 A
Corriente de fuga del gate - emisor: 400 nA
Pd - Disipación de potencia: 350 W
Carcasa / Gabinete: EconoPIM3
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Temperatura de funcionamiento máxima: + 125 C
Altura: 17 mm
Longitud: 122 mm
Tensión del emisor del gate máxima: 20 V
Serie: IGBT3 - E3
Nombre comercial: EconoPIM
Ancho: 62 mm
Peso unitario: 300 g