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Transistor MOSFET IXTQ460P2

MOSFET N de potencia en encapsulado TO3P con tecnología Polar2, adecuado para conmutación de alta tensión. Soporta drenaje-fuente de 500V y corriente de 24A, con disipación máxima de 480W y resistencia Rds(on) de 270 mΩ. La carga de puerta es 48 nC y el tiempo de conmutación es de 400 ns. Ideal para fuentes de alimentación, inversores, drivers de motor y aplicaciones de potencia, con montaje THT para soluciones robustas y fiables.
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Montaje: THT
Tipo de embalaje: tubo
Corriente de drenaje: 24A
Tipo de canal: enriquecido
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 480W
Resistencia en estado de conducción: 270mΩ
Tecnología: Polar2™
Tiempo de disponibilidad: 400ns
Tensión drenaje-fuente: 500V
Tensión puerta-fuente: ±30V
Tipo de transistor: N-MOSFET
Carcasa: TO3P
Carga de la puerta: 48nC