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  5. 002-2049

Transistor IRLR3110Z

Transistor N-MOSFET HEXFET en encapsulado DPAK, con tensión drenador-fuente de 100 V, corriente de drenador hasta 63 A y resistencia on-state de 14 mΩ. Dispone de carga de puerta de 34 nC, gate-fuente de ±16 V y potencia máxima de 140 W, tecnología HEXFET, adecuado para conmutación eficiente en fuentes de alimentación, convertidores y dispositivos de potencia. Ideal para montaje SMD, ofreciendo baja disipación y fiabilidad.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 100V
- Corriente de drenador: 63A
- Potencia: 140W
- Encapsulado: DPAK
- Tensión gate-fuente: +/-16V
- Resistencia on-state: 14mOhm
- Montaje: SMD
- Carga de puerta: 34nC
- Tecnología: HEXFET®

Ficha Técnica