¡Ver!
MENU
Sin IVA
Con IVA
0
0
Automóvil y 2 Ruedas
Audiovisual
Cargadores
Baterías y Pilas
Componentes para electrodomésticos
Componentes de TV y Audio
Desarrollo y Maker
Domótica y Hogar Inteligente
Electrónica
Energía Solar y Eólica
Herramientas
Tarjetas y Cables
Fuentes de alimentación
Fotografía y Vídeo
Iluminación
Impresión 3D
Informática y telecomunicaciones
Linternas
Material eléctrico
Casa y Bienestar
Seguridad y Vigilancia
TV Satélite y Terrestre
EL CARRITO ESTÁ VACÍO
Aún no tienes productos en el carrito.
Parece que hay un problema...
Añadir artículo a la lista de compras
ui-button
ui-button
Cancelar
Guardar
Electrónica
Transistores
002-2012
Transistor N-MOSFET AOTF10N60
Transístor N-MOSFET de alta tensão para aplicações de potência em comutação, com dreno-fonte de 600 V, corrente de dreno até 6,4 A e resistência no estado de condução de 750 mΩ. O encapsulamento TO220F permite montagem THT, com tensão porta-fonte de ±30 V e carga da porta de 31,1 nC, apresentando canal enriquecido. Adequado para fontes de alimentação, controlo de motores e inversores, oferecendo eficiência, fiabilidade e controlo preciso em aplicações de potência.
REF
002-2012
En Stock
(45 unidades)
Entrega entre 1 a 3 dias úteis
€ 2,03
/und
IVA Incluido a la Tasa de 23%
Añadir al Carrito
Disponibilidad en Tienda
Corroios
1
Unidade
Freixeira
38
Unidades
Funchal
2
Unidades
Leiria
2
Unidades
Lisboa
4
Unidades
Portela
0
Esgotado
Porto
0
Esgotado
DETALLES
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor: N-MOSFET
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: 600V
Corrente de dreno: 6.4A
Carcaça: TO220F
Tensão porta-fonte: ±30V
Resistência no estado de condução: 750mΩ
Montagem: THT
Carga da porta: 31.1nC
Espécie de canal: enriquecido