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  5. 002-2012

Transistor N-MOSFET AOTF10N60

Transístor N-MOSFET de alta tensão para aplicações de potência em comutação, com dreno-fonte de 600 V, corrente de dreno até 6,4 A e resistência no estado de condução de 750 mΩ. O encapsulamento TO220F permite montagem THT, com tensão porta-fonte de ±30 V e carga da porta de 31,1 nC, apresentando canal enriquecido. Adequado para fontes de alimentação, controlo de motores e inversores, oferecendo eficiência, fiabilidade e controlo preciso em aplicações de potência.
REF 002-2012
En Stock (46 unidades) Entrega entre 1 a 5 dias úteis
€ 2,03 /und
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Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor: N-MOSFET
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: 600V
Corrente de dreno: 6.4A
Carcaça: TO220F
Tensão porta-fonte: ±30V
Resistência no estado de condução: 750mΩ
Montagem: THT
Carga da porta: 31.1nC
Espécie de canal: enriquecido