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Transistor N-MOSFET AOTF10N60

Transistor N-MOSFET de alta tensión para aplicaciones de potencia en conmutación, con drenador-fuente de 600 V, corriente de drenador de hasta 6,4 A y resistencia en estado de conducción de 750 mΩ. El encapsulado TO220F permite el montaje THT, con tensión puerta-fuente de ±30 V y carga de puerta de 31,1 nC, con canal enriquecido. Adecuado para fuentes de alimentación, control de motores e inversores, ofreciendo eficiencia, fiabilidad y control preciso en aplicaciones de potencia.
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Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor: N-MOSFET
Polarización: unipolar
Tensión drenador-fuente: 600V
Corriente de drenador: 6.4A
Carcasa: TO220F
Tensión puerta-fuente: ±30V
Resistencia en estado de conducción: 750mΩ
Montaje: THT
Carga de la puerta: 31.1nC
Especie de canal: enriquecido