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  5. 002-1978

Transistor MOSFET IRL3705N

Transistor MOSFET de potencia del tipo N-MOSFET, con tecnología HEXFET y polarización unipolar, indicado para conmutación de potencia. Ofrece tensión drenador-fuente (Vds) de 55V, corriente de drenador (Id) de 89A y resistencia en estado de conducción (Rds(on)) de 10mΩ, disipando hasta 130W en encapsulado TO220AB. La puerta admite Vgs de ±16V y tiene una carga de puerta de 65,3nC; montaje THT, adecuado para aplicaciones de potencia con buena eficiencia.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenador-fuente: 55V
Corriente de drenador: 89A
Potencia disipada: 130W
Carcasa: TO220AB
Tensión puerta-fuente: ±16V
Resistencia en estado de conducción: 10mΩ
Montaje: THT
Carga de la puerta: 65.3nC


Ficha Técnica