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  5. 002-1978

Transistor MOSFET IRL3705N

Transístor MOSFET de potência do tipo N-MOSFET, com tecnologia HEXFET e polarização unipolar, indicado para comutação de potência. Oferece tensão dreno-fonte (Vds) de 55V, corrente de dreno (Id) de 89A e resistência no estado de condução (Rds(on)) de 10mΩ, dissipando até 130W em encapsulamento TO220AB. A porta admite Vgs de ±16V e tem carga de porta de 65,3nC; montagem THT, adequado para aplicações de potência com boa eficiência.
REF 002-1978
En Stock (19 unidades) Entrega entre 1 a 5 dias úteis
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transístor: N-MOSFET
Tecnologia: HEXFET®
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: 55V
Corrente de dreno: 89A
Potência dissipada: 130W
Carcaça: TO220AB
Tensão porta-fonte: ±16V
Resistência no estado de condução: 10mΩ
Montagem: THT
Carga da porta: 65.3nC
Ficha Técnica