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  5. 002-1938

Transistor IPD135N03LGATMA1

Transistor N-MOSFET de potencia con tecnología OptiMOS 3, drenador-fuente de 30 V y corriente de 21 A, con una potencia disipada de hasta 31 W. Compatible con la carcasa PG-TO252-3 (SMD), resistencia Rds(on) de 13,5 mΩ, puerta-fuente con ±20 V y canal enriquecido. Ideal para conmutación en fuentes de alimentación, inversores y aplicaciones de gestión de potencia, fabricado por Infineon Technologies.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: OptiMOS™ 3
Polarización: unipolar
Tensión drenador-fuente: 30V
Corriente de drenador: 21A
Potencia disipada: 31W
Carcasa: PG-TO252-3
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de conducción: 13.5mΩ
Montaje: SMD
Especie de canal: enriquecido

Ficha Técnica