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  5. 002-1932

Transistor Mosfet FQA11N90C 900V 6.9A 300W TO3PN

Transístor de potencia N-MOSFET con canal enriquecido y tecnología QFET, concebido para conmutación de alta tensión. La tensión drenador-fuente es de 900V y la corriente de drenador de 6.9A, asegurando un rendimiento estable con una disipación de 300W. El encapsulado TO3PN en tubo, el montaje THT, la carga de puerta de 80nC y VGS ±30V ofrecen fiabilidad para aplicaciones exigentes en electrónica de potencia.
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Fabricante ON SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor N-MOSFET
Tecnologia QFET®
Polarización unipolar
Tensión drenador-fuente 900V
Corriente de drenador 6.9A
Potencia disipada 300W
Carcasa TO3PN
Tensión puerta-fuente ±30V
Resistencia en estado de conducción 1.1Ω
Montaje THT
Carga de la puerta 80nC
Tipo de embalaje tubo
Tipo de canal enriquecido