Transistor FDB8447L

MOSFET de canal N con capacidad de 50 A y tensión de bloqueo de 40 V, con 8,5 mΩ de resistencia de conducción para una menor disipación de calor. Presenta un Vgs máximo de 20 V y un Vgs(th) de aproximadamente 1,9 V, lo que favorece una conmutación rápida y estable. Ideal para aplicaciones de potencia en las que se requiere una conducción eficiente y fiable, incluidas fuentes de alimentación y circuitos de conmutación, con buen rendimiento a alta velocidad y menor calentamiento.