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  5. 002-1919

Transistor STP10NF04

Transistor de canal N (N-MOSFET) con encapsulado TO220-3, adecuado para conmutación de potencia. Vds de 40V, Id hasta 120A y P de 300W, con Rds(on) de 4,6 mΩ y Vgs de ±20V. Compatible con montaje THT, adecuado para controladores de motores, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación de alta velocidad, ofreciendo eficiencia, fiabilidad y protección en aplicaciones discretas.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 40V
- Corriente de drenador: 120A
- Potencia: 300W
- Encapsulado: TO220-3
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia en estado de encendido: 4.6mOhm
- Montaje: THT