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  5. 002-1918

Transistor IRFB3607

Transistor N-MOSFET de potencia con polarización unipolar, compatible con montaje THT en encapsulado TO220AB. Ofrece drenador-fuente de 75 V y corriente de drenador de 80 A, con potencia máxima de 140 W. La resistencia on-state es de 9 mΩ, con ganancia de puerta-fuente de +/- 20 V y carga de puerta de 56 nC. Ideal para circuitos de conmutación y alimentación, proporcionando un rendimiento de potencia estable sin referencia a marca.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 75V
- Corriente de drenador: 80A
- Potencia: 140W
- Encapsulado: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia on-state: 9mOhm
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 56nC