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  5. 002-1915

Transistor FQP30N06L

transístor de potencia N-MOSFET de canal de conducción enriquecido, adecuado para conmutación y aplicaciones de potencia. En encapsulado TO-220-3 (montaje THT), presenta tensión drenador-fuente de 60 V, corriente de drenador hasta 22,6 A, resistencia en conducción de 35 mΩ y disipación de 79 W. La puerta-fuente soporta hasta ±20 V, lo que lo hace adecuado para reguladores, drivers y circuitos de potencia que requieren un control estable sin referencia a la marca.
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Montaje: THT
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de encapsulado: tubo
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 79W
Resistencia en estado de conducción: 35mΩ
Tensión drenador-fuente: 60V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Carcasa: TO220-3
Corriente de drenador: 22.6A