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  5. 002-1887

Transistor FQA13N50CF

Transistor MOSFET de canal N de potencia para conmutación de alta tensión, con 15 A de corriente de drenador y 500 V de tensión drenador-fuente. Dispone de RDS(on) máximo de 0,48 Ω, disipación de potencia de hasta 218 W y rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 150ºC. Encapsulado TO-3PN en montaje THT, con dimensiones de 15,8 × 5 × 20,1 mm. Ideal para fuentes de alimentación, convertidores y aplicaciones de potencia que requieren robustez y fiabilidad.
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Características:
- Tipo de canal: N
- Corriente máxima continua de drenador: 15A
- Tensión máxima drenador-fuente: 500V
- Resistencia máxima drenador-fuente: 480mOhm
- Tensión mínima de la compuerta: 2V
- Tensión máxima compuerta-fuente: +/- 30V
- Tipo de encapsulado: TO-3PN
- Montaje: THT
- Potencia máxima disipada: 218W
- Temperatura de funcionamiento: -55..150ºC
- Dimensiones: 15.8x5x20.1mm