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  5. 002-1886

Transistor IRFP4332

Transistor N-MOSFET en encapsulado TO247AC, adecuado para aplicaciones de potencia. Soporta 250V de drenador-fuente y 57A de corriente con una disipación de 360W, ofreciendo una resistencia en conducción de 33mΩ. La conmutación exige una tensión puerta-fuente de ±30V y una carga de puerta de 99nC, con montaje THT. La polarización unipolar facilita el diseño de circuitos. Ideal para fuentes de alimentación, inversores y controles de motores, proporcionando un rendimiento estable y fiable en entornos exigentes.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 250V
- Corriente de drenador: 57A
- Potencia: 360W
- Encapsulado: TO247AC
- Tensión puerta-fuente: +/-30V
- Resistencia en conducción: 33mOhm
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 99nC