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  5. 002-1867

Transistor FQA24N60

Transistor de efecto de campo tipo N-MOSFET de alta tensión con polarización unipolar. Tensión drenador-fuente de 600 V, corriente de drenador hasta 14,9 A y potencia de 310 W. Encapsulado TO3PN y montaje THT. Tensión puerta-fuente de ±30 V, resistencia en estado de encendido de 240 mOhm y carga de puerta de 145 nC. Adecuado para conmutación en aplicaciones que exigen un rendimiento estable y fiable.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 600V
- Corriente de drenador: 14.9A
- Potencia: 310W
- Encapsulado: TO3PN
- Tensión puerta-fuente: +/-30V
- Resistencia en estado de encendido: 240mOhm
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 145nC