Transistor HUF75339P3

Transistor N-MOSFET de potencia discreta en encapsulado TO220AB, adecuado para conmutación y control de cargas. Soporta drenador-fuente hasta 55V, corriente de 75A y potencia de 200W, con resistencia en estado de encendido de 12mOhm y tensión puerta-fuente de ±20V. Montaje THT, carga de puerta de 130nC, lo que lo hace adecuado para fuentes de alimentación, convertidores y drivers de potencia en aplicaciones industriales.

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DETALLES

Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 55V
- Corriente de drenador: 75A
- Potencia: 200W
- Encapsulado: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia en estado de encendido: 12mOhm
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 130nC
- Marcado de fábrica: 75339P

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