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  5. 002-1858

Transistor IRFD9024

Transistor de potencia del tipo P-MOSFET con encapsulado DIP4 y montaje THT. Soporta una tensión drenador-fuente de -60V y una corriente de drenador de -1,1A, con una potencia de 1,3W y una resistencia en estado de encendido de 280 mΩ. La tensión puerta-fuente es ±20V y la carga de puerta es 19 nC, facilitando el control rápido y estable en circuitos de conmutación de potencia.
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Características:
- Tipo de transistor: P-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: -60V
- Corriente de drenador: -1.1A
- Potencia: 1.3W
- Encapsulado: DIP4
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia en estado de encendido: 280mOhm
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 19nC