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  5. 002-1822

Transistor IRFP4227

Transistor de potencia tipo N-MOSFET para montaje en orificios pasantes (through-hole) con encapsulado TO247AC. Ofrece una tensión drenador-fuente de 200 V, una corriente de drenador de 65 A y una potencia de 330 W, ideal para fuentes de alimentación, drivers de motor y aplicaciones de conmutación. Presenta una resistencia en estado de encendido de 25 mΩ y una resistencia térmica de 0,45 K/W, con protecciones de puerta de ±30 V. El montaje THT facilita la inserción en placas de circuito impreso robustas para sistemas que requieren un rendimiento estable y fiable.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 200V
- Corriente de drenador: 65A
- Potencia: 330W
- Encapsulado: TO247AC
- Tensión puerta-fuente: +/-30V
- Resistencia en estado de encendido: 25mOhm
- Resistencia térmica: 0.45K/W
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 70nC