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  5. 002-1810

Transistor FQD7N10L

N-MOSFET de montaje SMD con encapsulado DPAK, diseñado para conmutación de potencia. Ofrece tensión drenador-fuente de 100V, corriente de drenador de hasta 3.67A y potencia de 25W, con resistencia en estado de encendido de 360mOhm. Soporta tensiones puerta-fuente de +/-20V, en una arquitectura unipolar y tecnología QFET, adecuado para proyectos compactos y eficientes en fuentes de alimentación, amplificadores de potencia y circuitos de protección, asegurando fiabilidad y rendimiento en aplicaciones industriales y de consumo.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 100V
- Corriente de drenador: 3.67A
- Potencia: 25W
- Encapsulado: DPAK
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia en estado de encendido: 360mOhm
- Montaje: SMD
- Carga de puerta: 6nC
- Tecnología: QFET