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  5. 002-1808

Transistor STP13NM60N

El transistor N-MOSFET de alta tensión, con encapsulado TO-220-3, ofrece 600 V de drenaje-fuente y una corriente de hasta 6,93 A, soportando hasta 90 W de potencia disipada. Utiliza la tecnología MDmesh y presenta un canal enriquecido con polarización unipolar, una resistencia en estado de conducción de 360 mΩ y una tensión puerta-fuente de ±25 V. Ideal para componentes de potencia en montajes THT, garantizando un rendimiento estable, fiabilidad y eficiencia en aplicaciones industriales y de consumo.
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€ 2,20
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Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Potencia disipada: 90W
Polarización: unipolar
Tecnología: MDmesh™ ||
Corriente de drenaje: 6.93A
Especie de canal: enriquecido
Tensión drenaje-fuente: 600V
Tipo de transistor: N-MOSFET
Carcasa: TO220-3
Resistencia en estado de conducción: 360mΩ
Tensión puerta-fuente: ±25V