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  3. Electrónica
  4. Circuitos Integrados
  5. 002-1777

Transistor FDS6680A

Transistor N-MOSFET de montaje SMD con polarización unipolar, que admite drenador-fuente hasta 30V y corriente de hasta 12.5A, con una potencia de 2.5W y una resistencia en estado de encendido de 15mOhm. El encapsulamiento SO8 facilita el montaje en PCB, con puerta-fuente de +/-20V y carga de puerta de 23nC, adecuado para aplicaciones de conmutación rápida y bajo consumo en circuitos de potencia.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 30V
- Corriente de drenador: 12.5A
- Potencia: 2.5W
- Encapsulamiento: SO8
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia en estado de encendido: 15mOhm
- Montaje: SMD
- Carga de puerta: 23nC