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  5. 002-1767

Transistor IPD060N03LGATMA1

Transistor de potencia N-MOSFET con polarización unipolar, tensión drenador-fuente de 30V y corriente de drenador de 43A. Ofrece una potencia de 56W, encapsulado PG-TO252-3 y montaje SMD, resistencia en estado de encendido de 6mOhm y tensión puerta-fuente de +/-20V. Ideal para conmutación de potencia en fuentes de alimentación, drivers y circuitos compactos, proporcionando una eficiencia estable, disipación controlada y montaje simplificado en diseños de superficie.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 30V
- Corriente de drenador: 43A
- Potencia: 56W
- Encapsulado: PG-TO252-3
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia en estado de encendido: 6mOhm
- Montaje: SMD