¡Ver!
MENÚ
Sin IVA
Con IVA
0
0
EL CARRITO ESTÁ VACÍO
Aún no tienes productos en el carrito.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1758

Transistor IRF520N

Transistor de efecto de campo N-MOSFET encapsulado en TO220AB, adecuado para montaje THT. Ofrece 100 V de drenador-fuente, 9,7 A de corriente de drenador y 48 W de potencia, con resistencia en estado de encendido de 200mOhm y resistencia térmica de 3.1K/W. La puerta-fuente soporta ±20 V y la carga de puerta es de 16.7nC, lo que lo hace adecuado para conmutación de alta potencia en circuitos de potencia.
REF
En Stock (58 unidades) Entrega inmediata
€ 1,32
/und
IVA Incluido a la Tasa de 23%
Añadir al CarritoAñadir al Carrito
Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 100V
- Corriente de drenador: 9.7A
- Potencia: 48W
- Encapsulado: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia en estado de encendido: 200mOhm
- Resistencia térmica: 3.1K/W
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 16.7nC