¡Ver!
MENÚ
Sin IVA
Con IVA
0
0
EL CARRITO ESTÁ VACÍO
Aún no tienes productos en el carrito.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1754

Transistor AOT10N65

Transistor N-MOSFET de potencia, con encapsulado TO220 y montaje THT, capaz de soportar 650 V de drenador y 6,2 A de corriente. Presenta tensión puerta-fuente de ±30 V, resistencia en estado de encendido de 1 Ω y carga de puerta de 27,7 nC, ofreciendo buena linealidad y conmutación estable en aplicaciones de potencia. Adecuado para el diseño de drivers, fuentes y circuitos que requieren montaje mediante through-hole y disipación moderada.
REF
En Stock (28 unidades) Entrega inmediata
€ 2,72
/und
IVA Incluido a la Tasa de 23%
Añadir al CarritoAñadir al Carrito
Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 650V
- Corriente de drenador: 6.2A
- Encapsulado: TO220
- Tensión puerta-fuente: +/-30V
- Resistencia en estado de encendido: 1Ohm
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 27.7nC