Transistor STN3NF06L

Transistor N-MOSFET de potencia, unipolar, con tensión drenador-fuente de 60 V y corriente de drenador de 4 A, ofreciendo 3,3 W de potencia. Encapsulado SOT223, tensión puerta-fuente de ±16 V y resistencia en estado de encendido de 100 mΩ, para montaje en superficie (SMD). Ideal para aplicaciones de conmutación y control de potencia en circuitos electrónicos.

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DETALLES

Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 60V
- Corriente de drenador: 4A
- Potencia: 3.3W
- Encapsulado: SOT223
- Tensión puerta-fuente: ±16V
- Resistencia en estado de encendido: 100mOhm
- Montaje: SMD

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