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  5. 002-1741

Transistor IPD050N03LGATMA1

Transistor N-MOSFET de funcionamiento unipolar con tensión drenador-fuente de hasta 30V y corriente de drenador de 50A, que ofrece 68W de potencia en un encapsulado PG-TO252-3 para montaje SMD. El dispositivo presenta Rds(on) de 5 mΩ y tensión puerta-fuente de ±20V, adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia en proyectos compactos. Ideal para fuentes de alimentación, convertidores DC-DC y etapas de potencia en placas SMD, aportando eficiencia, fiabilidad y un montaje sencillo.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 30V
- Corriente de drenador: 50A
- Potencia: 68W
- Encapsulado: PG-TO252-3
- Tensión puerta-fuente: ±20V
- Resistencia en estado de conducción: 5mOhm
- Montaje: SMD