Transistor FQPF3N80C

Transistor de potencia del tipo N-MOSFET con polarización unipolar, capaz de soportar tensiones de drenador-fuente de 800V y corrientes de drenador de hasta 1,9A. El encapsulamiento TO220F y el montaje THT facilitan la integración en placas de circuito impreso. Dispone de una resistencia on-state de 4,8Ω y una tensión gate-fuente de ±30V, con tecnología QFET. Ideal para conmutación de alta tensión, fuentes de alimentación y aplicaciones de potencia, ofreciendo fiabilidad y un rendimiento estable.

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DETALLES

Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 800V
- Corriente de drenador: 1.9A
- Potencia: 39Ohm
- Encapsulamiento: TO220F
- Tensión gate-fuente: ±30V
- Resistencia on-state: 4.8Ω
- Montaje: THT
- Carga de gate: 16.5nC
- Tecnología: QFET

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