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  5. 002-1737

Transistor FDPF51N25

Transistor de potencia N-MOSFET con polarización unipolar, tensión drenador-fuente de hasta 250 V y corriente de drenador de 30 A, que ofrece 38 W de potencia. El encapsulado TO220F facilita el montaje en placa con THT, y la tecnología UltraFET garantiza una resistencia en estado de encendido de 48 mΩ con puerta-fuente de ±30 V y una carga de puerta de 70 nC. Ideal para control de potencia y aplicaciones de conmutación.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 250V
- Corriente de drenador: 30A
- Potencia: 38W
- Encapsulado: TO220F
- Tensión puerta-fuente: ±30V
- Resistencia en estado de encendido: 48mOhm
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 70nC
- Tecnología: UltraFET®