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  5. 002-1736

Transistor IRFB4115

Transistor de potencia N-MOSFET HEXFET con drenador-fuente de 150 V y corriente de drenador de hasta 104 A, ofreciendo 380 W de potencia de disipación. El encapsulado TO-220AB facilita el montaje en PCB, con montaje THT. La tensión puerta-fuente es de 20 V, la resistencia en conducción es de 11 mΩ y la resistencia térmica de 0.4 K/W, asegurando una buena eficiencia térmica. La carga de puerta de 77 nC permite una conmutación estable en aplicaciones de potencia.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tipo de transístor: HEXFET
- Tensión drenador-fuente: 150V
- Corriente de drenador: 104A
- Potencia: 380W
- Encapsulado: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: 20V
- Resistencia en conducción: 11mOhm
- Resistencia térmica: 0.4K/W
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 77nC