Transistor AOD4132

Transistor de potencia N-MOSFET de polarización unipolar, con drenador-fuente de 30V y corriente de 63A, ofreciendo 100W de potencia en un encapsulado TO252 para montaje SMD. Dispone de resistencia en conducción de 4mΩ y carga de puerta de 33nC, con tensiones puerta-fuente de ±20V, ideal para aplicaciones de conmutación de potencia que requieren eficiencia, compactación y buena disipación de calor.

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DETALLES

Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 30V
- Corriente de drenador: 63A
- Potencia: 100W
- Encapsulado: TO252
- Tensión puerta-fuente: ±20V
- Resistencia en conducción: 4mΩ
- Montaje: SMD
- Carga de puerta: 33nC
- Cantidad en paquete: 2.5kV/us

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