Transistor IGW40N60H3

Transistor IGBT de potencia con tensión colector-emisor de hasta 600 V, corriente de 80 A y potencia de 306 W, presentado en encapsulado PG-TO247-3 con montaje THT. Soporta tensión puerta-emisor de ±20 V y utiliza la tecnología TRENCHSTOP 3.

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DETALLES

Características:
- Tipo de transistor: IGBT
- Polarización: bipolar
- Tensión colector-emisor: 600V
- Corriente del colector: 80A
- Potencia: 306W
- Encapsulado: PG-TO247-3
- Tensión puerta - emisor: ±20V
- Montaje: THT
- Tecnología: TRENCHSTOP™ 3

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Transistor IGW40N60H3

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