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  5. 002-1699

Transistor IRFP044N

Transistor N-MOSFET HEXFET de potencia, polarización unipolar, tensión drenador-fuente: 55 V, corriente de drenador: 49 A, potencia: 100 W, encapsulamiento TO247AC, tensión puerta-fuente: 20 V, resistencia on-state: 20 mΩ, resistencia térmica: 1,5K/W, montaje: THT, carga de gate: 40,7 nC.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 55V
- Corriente de drenador: 49A
- Potencia: 100W
- Encapsulamiento: TO247AC
- Tensión puerta-fuente: 20V
- Resistencia on-state: 20mOhm
- Resistencia térmica: 1.5K/W
- Montaje: THT
- Carga de gate: 40.7nC