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Transistor AO4616

Transistor N/P-MOSFET de montaje SMD con encapsulado SO8, polarización unipolar y tensiones drenador-fuente de -30/30V. Admite corrientes de drenador de -6/6.5A y potencia de 1.3W, ofreciendo baja resistencia de conducción (20/22mΩ) y tensión puerta-fuente de ±20V. Ideal para conmutación de potencia en circuitos compactos, con funcionamiento estable y montaje en superficie.
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Características:
- Tipo de transistor: N/P-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: -30/30V
- Corriente de drenador: -6/6.5A
- Potencia: 1.3/1.3W
- Encapsulado: SO8
- Tensión puerta-fuente: ±20/±20V
- Resistencia en estado de conducción: 20/22mOhm
- Montaje: SMD
- Carga de la puerta: 7.5/9.6nC