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Electrónica
Transistores
002-1678
Transistor FGL60N100BNTD
IGBT de potencia con montaje en THT y embalaje en tubo (TO264). Dispone de tensión colector-emisor de 1 kV y tensión puerta-emisor de ±25 V, ofreciendo una corriente de colector de hasta 42 A y una corriente de pulso de 200 A. Disipa hasta 72 W y soporta una carga de puerta de 275 nC. Ideal para aplicaciones de conmutación de alta tensión y disipación de energía, con encapsulado robusto para montaje en placa.
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002-1678
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DETALLES
Características:
Montaje: THT
Tensión puerta - emisor: ±25V
Corriente de colector: 42A
Tensión colector-emisor: 1kV
Potencia disipada: 72W
Carga de puerta: 275nC
Corriente de colector en el impulso: 200A
Tipo de transistor: IGBT
Tipo de embalaje: tubo
Carcasa: TO264