¡Ver!
MENÚ
Sin IVA
Con IVA
0
0
EL CARRITO ESTÁ VACÍO
Aún no tienes productos en el carrito.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1670

Transistor IRFB38N20D

Transistor de potencia del tipo N-MOSFET HEXFET con polarización unipolar, que ofrece una tensión drenador-fuente de 200 V y una corriente de drenador de hasta 44 A. Conduce hasta 320 W de potencia, encapsulado TO220AB, tensión puerta-fuente de 30 V y resistencia en estado de conducción de 54 mΩ. Dispone de una resistencia térmica de 470 mK/W, montaje THT y carga de puerta de 60 nC. Adecuado para soluciones de conmutación de alta gama.
REF
En Stock (1 unidad) Entrega inmediata
€ 3,16
/und
IVA Incluido a la Tasa de 23%
Añadir al CarritoAñadir al Carrito
Características:
- Tipo de transístor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tipo de transístor: HEXFET
- Tensión drenador-fuente: 200V
- Corriente de drenador: 44A
- Potencia: 320W
- Encapsulado: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: 30V
- Resistencia en estado de conducción: 54mOhm
- Resistencia térmica: 470mK/W
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 60nC