Transistor IRF3710S - SMD

Transistor N-MOSFET de tipo HEXFET con drenador-fuente de 100V y corriente de 57A, que ofrece hasta 200W de potencia en encapsulado D2PAK para montaje SMD. Presenta baja resistencia en el estado de conducción (23mΩ) y tensión puerta-fuente de 20V, adecuado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Perfil unipolar, indicado para drivers de potencia, fuentes conmutadas y automatización, con buena disipación térmica (750mK/W) y montaje compacto.

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DETALLES

Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tipo de transistor: HEXFET
- Tensión drenador-fuente: 100V
- Corriente de drenador: 57A
- Potencia: 200W
- Encapsulado: D2PAK
- Tensión puerta-fuente: 20V
- Resistencia en estado de conducción: 23mOhm
- Resistencia térmica: 750mK/W
- Montaje: SMD
- Carga de puerta: 86.7nC
- PBF

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