Transistor FDS8880

Transistor FDS8880, con encapsulamiento SOIC8, polaridad canal-N y conexión SMD, ofrece una potencia de 2,8 W y una temperatura máxima de 150ºC. Es adecuado para montaje en superficie, lo que permite proyectos compactos y estables térmicamente. Este componente mantiene las especificaciones originales y facilita la integración en circuitos que requieren fiabilidad en condiciones de calentamiento.