Transistor FQP7N80C

Transistor de potencia de canal N, encapsulado en TO-220, indicado para montaje por orificio. Soporta hasta 800 V de tensión de funcionamiento, disipa hasta 167 W y conduce 6,6 A, con temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C. Ideal para fuentes de alimentación, convertidores y drivers de potencia, ofreciendo conmutación estable, buena disipación térmica y fiabilidad en aplicaciones industriales. Compatible con montaje en PCB o disipadores, proporcionando un rendimiento fiable en entornos con requisitos de aislamiento y protección térmica.

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DETALLES

Características:
- Encapsulado: TO-220
- Polaridad: Canal-N
- Tipo de conexión: a través de orificio
- Tensión máxima de funcionamiento: 800V
- Potencia: 167W
- Corriente máxima: 6.6A
- Temperatura máxima: 150ºC

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