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  5. 002-1655

Transistor IRFP2907

Este transistor es un N-MOSFET HEXFET capaz de soportar hasta 75 V entre drenador y fuente, con una corriente de drenador de 209 A y una potencia nominal de 330 W. El encapsulado TO247AC y el montaje THT facilitan la integración en diseños de potencia. Con Rds(on) de 4,5 mΩ y una resistencia térmica de 450 mK/W, ofrece una conducción eficiente con buena disipación. La carga de puerta es de 410 nC, ideal para una conmutación rápida y fiable en aplicaciones de alta potencia.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tipo de transistor: HEXFET
- Tensión drenador-fuente: 75V
- Corriente de drenador: 209A
- Potencia: 330W
- Encapsulado: TO247AC
- Tensión puerta-fuente: 20V
- Resistencia en estado de conducción: 4.5mOhm
- Resistencia térmica: 450mK/W
- Montaje: THT
- Carga de la puerta: 410nC